英特尔美光晶片厂延迟投产

价格下跌　供过于求　 英特尔美光晶片厂延迟投产

　　由于晶片市场疲弱，英特尔（Intel Corporation）与美光科技（Micron Technology）在我国联营的NAND闪存记忆晶片制造厂，将推迟六个月，于明年中投产。　　

　　这间投资额估计达30亿美元（将近47亿新元）的新厂，原本要在今年12月投产。联营公司IM Flash Technologies联合总裁罗德尼昨天说：“NAND的市场滑落，价格下跌已成趋势，供应已多过需求。”这些市场情况是公司决定推迟生产的主要原因。

　　但他也表示，工厂现在计划的闪存产能比之前显著提高，工厂推迟生产对供应的影响较小。

　　该厂主要生产可用于数码相机和手机上的NAND闪存记忆晶片，于去年4月开始修建，预计明年中开幕，可雇用800员工，最终能达到1万4000人。

　　研究公司iSuppli估计，今年第一季NAND晶片的平均价格已下滑了36％，第二季预计将下滑13％，今年年中可趋于稳定。

　 新加坡的工厂是IM Flash Technologies第四家工厂，也是公司在美国以外的首家工厂。工厂将生产50纳米的快闪记忆晶片和12英寸硅片晶圆。

　　罗德尼不愿透露该厂的生产能力和建筑成本，但表示将在该厂投产后的一年内使产能达到100％，而公司在新加坡的工厂项目成本比预期的低，相对于其他地方的成本低了20％至30％。

　　电子业占我国制造业产值的三分之一，但一些生产商已向中国、越南等成本较低的国家转移，经济师担心本地主要的出口市场如美国和欧盟的消费者需求开始放缓。

　　IMFT是美光与英特尔于2006年在我国合资成立的，客户主要为半导体器材厂商。